單項選擇題光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡單較大
B．復(fù)雜較大
C．簡單較小
D．復(fù)雜較小
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1.單項選擇題（）是影響硅器件成品率的一個重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。
A.點(diǎn)缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
2.單項選擇題用冷熱探筆法測量（）半導(dǎo)體時，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
最新試題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題