最新試題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型:判斷題