判斷題處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
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雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
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絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
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氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
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n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
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雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
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MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
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實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題