填空題雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
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半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題