問答題影響譜帶(位移)的因素有哪些?說明其影響規(guī)律和原因?
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1.問答題什么是色相色譜法?
2.單項(xiàng)選擇題直拉單晶中氧含量頭部和尾部相比()。
A.較高
B.相同
C.較低
D.無法判斷
3.單項(xiàng)選擇題X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi),準(zhǔn)確度高。()
A.±10'
B.±15'
C.±20'
D.±30'
4.單項(xiàng)選擇題下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)?()
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)
5.單項(xiàng)選擇題失效表明離子交換樹脂可供交換的()大為減少。
A.Cl¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
最新試題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題