單項選擇題下列哪一項不是天然水的三大雜質(zhì)？（）
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)
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1.單項選擇題失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
2.單項選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗多晶硅中基磷含量時，采用快速區(qū)熔法的工藝時，第一次區(qū)熔時，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時間（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
3.單項選擇題光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡單較大
B．復雜較大
C．簡單較小
D．復雜較小
4.單項選擇題（）是影響硅器件成品率的一個重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。
A.點缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
5.單項選擇題用冷熱探筆法測量（）半導體時，冷端帶正電，熱端帶負電。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
最新試題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型：填空題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題