單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)多晶硅中基磷含量時(shí)，采用快速區(qū)熔法的工藝時(shí)，第一次區(qū)熔時(shí)，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時(shí)間（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
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1.單項(xiàng)選擇題光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡(jiǎn)單較大
B．復(fù)雜較大
C．簡(jiǎn)單較小
D．復(fù)雜較小
2.單項(xiàng)選擇題（）是影響硅器件成品率的一個(gè)重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。
A.點(diǎn)缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
3.單項(xiàng)選擇題用冷熱探筆法測(cè)量（）半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
最新試題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題