問答題簡述懸浮區(qū)熔法檢驗硅多晶中硼、磷含量的原理.
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最新試題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型：判斷題
半導體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題