單項選擇題若晶體管位于截止區(qū)，則電壓特性為（）
A.VEB順偏，VCB順偏
B.VEB順偏，VCB逆偏
C.VEB逆偏，VCB逆偏
D.VEB逆偏，VCB順偏
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1.單項選擇題NPN晶體管若欲工作在作用區(qū)（active-region），則（）
A.基射接面需順偏，基集接面需順偏
B.基射接面需順偏，基集接面需反偏
C.基射接面需反偏，基集接面需順偏
D.基射接面需反偏，基集接面需反偏
2.單項選擇題晶體管放電路之功率增益為AP，電壓增益為AV，電流增益為AI，三者之關(guān)系為AP=AV·AI，試問下列何種電路何功率增益AP最高？（）
A.共基極放大電路
B.共射極放大電路
C.共集極放大電路
D.以上皆是
3.單項選擇題
如圖所示N信道增強型MOSFET偏壓電路，其閘極至源極的電壓VGS=？（）
A.9.6V
B.14.4V
C.0V
D.12V
E.8V
4.單項選擇題有關(guān)雙極性接面晶體管（BJT）特性之敘述，下列何者有誤？（）
A.BJT為電流控制組件
B.NPN型BJT正常工作時，流通之多數(shù)載子為電子
C.BJT用于線性放大時，基射極需接反偏，基集極接順偏
D.不可以二個頭或尾對接之二極管來代替BJT組件使用
5.單項選擇題某晶體管之β值為99，則其α值應(yīng)為？（）
A.0.98
B.0.985
C.0.99
D.0.995
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數(shù)字電路在通信系統(tǒng)中的主要應(yīng)用不包括以下哪一項？（）
題型：單項選擇題
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