A.硒鼓檢測(cè)器
B.IP成像轉(zhuǎn)換器
C.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
D.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
E.多絲正比室檢測(cè)器
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A.成像方式
B.操作方式
C.床旁攝影
D.可應(yīng)用于常規(guī)攝影
E.與常規(guī)X線設(shè)備匹配
A.圖像存儲(chǔ)
B.成像能源
C.轉(zhuǎn)換介質(zhì)
D.成像方式
E.傳輸方式
A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏／片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏／片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏／片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高
A.IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成
B.IP由基層、晶體層構(gòu)成
C.IP用于檢測(cè)圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)
A.400
B.200
C.100
D.50
E.10
最新試題
CR攝影和常規(guī)X線攝影不同之處在于（）
直接數(shù)字化X射線攝影，硒物質(zhì)直接轉(zhuǎn)換技術(shù)X射線的吸收率高于間接轉(zhuǎn)換技術(shù)（）
CR系統(tǒng)中，直接記錄X線影像信息的載體是（）DR使用的檢測(cè)裝置是（）
透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí)，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì)，即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電子跑向偏壓的正極，正電子跑向偏壓的負(fù)極，于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元，即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下，開關(guān)導(dǎo)通，把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大，送到A/D轉(zhuǎn)換器，從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是（）
關(guān)于CR攝影系統(tǒng)的影像板，以下說(shuō)法不正確的是（）
KonicaCR系統(tǒng)照射量1mR時(shí)對(duì)應(yīng)的S值為200，2mR對(duì)應(yīng)的S值是（）
數(shù)字化X射線成像系統(tǒng)的量子檢測(cè)率可達(dá)（）
關(guān)于CR的敘述，哪項(xiàng)不正確（）
直接FPD可以由（）直接獲得像素位置信息
FPD能夠成為平板形狀，主要是探測(cè)器的單元陣列采用的是（）