A.薄膜晶體管技術(shù)
B.光敏照相機技術(shù)
C.光電倍增管技術(shù)
D.光激勵發(fā)光技術(shù)
E.非晶硒技術(shù)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.Ⅱ+TV攝像機
B.成像板
C.閃爍體+CCD攝像機陣列
D.直接轉(zhuǎn)換平板探測器
E.間接轉(zhuǎn)換平板探測器
A.硒鼓檢測器
B.IP成像轉(zhuǎn)換器
C.直接轉(zhuǎn)換平板探測器
D.間接轉(zhuǎn)換平板探測器
E.多絲正比室檢測器
A.成像方式
B.操作方式
C.床旁攝影
D.可應(yīng)用于常規(guī)攝影
E.與常規(guī)X線設(shè)備匹配
A.圖像存儲
B.成像能源
C.轉(zhuǎn)換介質(zhì)
D.成像方式
E.傳輸方式
A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏/片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏/片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏/片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高
最新試題
FPD能夠成為平板形狀,主要是探測器的單元陣列采用的是()
屏/片系統(tǒng)成像與數(shù)字平板X線攝影的共同之處是()
關(guān)于CR攝影系統(tǒng)的影像板,以下說法不正確的是()
KonicaCR系統(tǒng)照射量1mR時對應(yīng)的S值為200,2mR對應(yīng)的S值是()
透過被照體的X線照射到平板探測器的非晶硒層時,由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對,即一對正負電子。該電子-空穴對在外加偏置電壓形成的電場作用下被分離并反向運動,負電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號被存儲在TFT的極間電容上。每個TFT形成一個采集圖像的最小單元,即像素。每個像素區(qū)內(nèi)有一個場效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號時起開關(guān)作用。在讀出控制信號的控制下,開關(guān)導(dǎo)通,把存儲于電容內(nèi)的像素信號逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號。關(guān)于該平板探測器的敘述錯誤的是()
CR系統(tǒng)中,直接記錄X線影像信息的載體是()DR使用的檢測裝置是()
CR的缺點有()
CR圖像與X線成像比較,哪項表述不正確()
間接DR中,位于FPD頂層的是()
DR探測器可用的是()作為顯示中和劑的是()含5個結(jié)晶水的硫代硫酸鈉是()顯影液使用的是()能用于IP的是()