A.第一象限
B.第二象限
C.第三象限
D.第四象限
E.以上都不是
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.第一象限
B.第二象限
C.第三象限
D.第四象限
E.以上都不是
CR系統(tǒng)用成像板(IP)來接收X線的模擬信息,然后經(jīng)過模/數(shù)轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)影像的數(shù)字化。對IP的曝光過程就是信息采集。
關(guān)于IP的敘述錯(cuò)誤的是()
A.IP作為輻射接收部件替代了常規(guī)X線攝影用的膠片
B.IP在X線下受到第一次激發(fā)時(shí)儲存連續(xù)的模擬信息
C.IP被掃描后所獲得的信息可以同時(shí)進(jìn)行存儲和打印
D.曝光后的成像板,由于吸收X線而發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)
E.IP的影像數(shù)據(jù)可通過施加強(qiáng)光照射來消除
CR系統(tǒng)用成像板(IP)來接收X線的模擬信息,然后經(jīng)過模/數(shù)轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)影像的數(shù)字化。對IP的曝光過程就是信息采集。
關(guān)于CR的信息采集敘述錯(cuò)誤的是()
A.IP具有與膠片相同的結(jié)構(gòu)
B.IP成為影像記錄的載體
C.光激勵(lì)熒光體的晶體結(jié)構(gòu)"陷阱"中存儲吸收的X線能量
D.IP以俘獲電子的形式存儲的能量形成潛影
E.隨著時(shí)間的推移,俘獲的信號會呈指數(shù)規(guī)律逐漸消退
透過被照體的X線照射到平板探測器的非晶硒層時(shí),由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對,即一對正負(fù)電子。該電子-空穴對在外加偏置電壓形成的電場作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng),負(fù)電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負(fù)極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號被存儲在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元,即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號時(shí)起開關(guān)作用。在讀出控制信號的控制下,開關(guān)導(dǎo)通,把存儲于電容內(nèi)的像素信號逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號。
場效應(yīng)管的作用是()
A.產(chǎn)生電荷
B.存儲電荷
C.開關(guān)
D.A/D轉(zhuǎn)換
E.放大
透過被照體的X線照射到平板探測器的非晶硒層時(shí),由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對,即一對正負(fù)電子。該電子-空穴對在外加偏置電壓形成的電場作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng),負(fù)電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負(fù)極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號被存儲在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元,即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號時(shí)起開關(guān)作用。在讀出控制信號的控制下,開關(guān)導(dǎo)通,把存儲于電容內(nèi)的像素信號逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號。
關(guān)于該平板探測器的敘述錯(cuò)誤的是()
A.屬于直接轉(zhuǎn)換
B.屬于間接轉(zhuǎn)換
C.成像效果好于IP
D.數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換不經(jīng)過可見光
E.需要高壓電場
最新試題
間接DR中,位于FPD頂層的是()
傳統(tǒng)X射線攝影其量子檢測效率僅為()
FPD能夠成為平板形狀,主要是探測器的單元陣列采用的是()
IP曝光后,應(yīng)在多長時(shí)間內(nèi)進(jìn)行信號讀?。ǎ?/p>
CR圖像處理不包括()
CR的中文全稱為()
根據(jù)IP上影像信息自動(dòng)選擇圖像讀出條件是在()
CR的缺點(diǎn)有()
DR使用的檢測裝置是()
CR攝影和常規(guī)X線攝影不同之處在于()