單項選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
A.對光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
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1.單項選擇題在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
3.判斷題MBE只能用于III-V族化合物的生長。
4.名詞解釋等離子體
5.名詞解釋激活劑
最新試題
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
題型：判斷題
光電導(dǎo)效應(yīng)
題型：名詞解釋
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
等離子體
題型：名詞解釋
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
題型：判斷題
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型：單項選擇題
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型：判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：單項選擇題
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
題型：判斷題
磁滯回線
題型：名詞解釋