判斷題AlAs的禁帶寬度比GaAs大,晶格常數(shù)也更大。
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1.單項選擇題MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過()極電壓來控制()極和()極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
2.單項選擇題當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時,其()的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
3.單項選擇題一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的()達到了14nm量級
A.柵極長度
B.漏極寬度
C.柵極寬度
D.以上都不是
最新試題
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體,所以叫PMOS。
題型:判斷題
光刻技術(shù)中的反刻工藝,通常應(yīng)用于()的情況。
題型:單項選擇題
當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時,其()的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
題型:單項選擇題
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型:判斷題
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
題型:判斷題
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的()達到了14nm量級
題型:單項選擇題
光電導(dǎo)效應(yīng)
題型:名詞解釋
陰極射線致發(fā)光
題型:名詞解釋
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
題型:判斷題
AFM通常用來觀測樣品表面形貌。
題型:判斷題