最新試題
光生伏特效應
非本征光電導
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
XPS只能檢測元素種類，無法標定元素含量。
通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
提高光刻最小線寬可以通過提升介質的介電常數(shù)實現(xiàn)。
激活劑
內光電效應
有A和B兩種單質晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV