判斷題XPS只能檢測(cè)元素種類,無法標(biāo)定元素含量。
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1.判斷題AFM通常用來觀測(cè)樣品表面形貌。
4.單項(xiàng)選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝,通常應(yīng)用于()的情況。
A.對(duì)光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
5.單項(xiàng)選擇題在CMOS工藝中,最為昂貴的步驟是:()
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
最新試題
等離子體
題型:名詞解釋
通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
題型:判斷題
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件,BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型:判斷題
光刻技術(shù)中的反刻工藝,通常應(yīng)用于()的情況。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
AlAs的禁帶寬度比GaAs大,晶格常數(shù)也更大。
題型:判斷題
內(nèi)光電效應(yīng)
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光電導(dǎo)效應(yīng)
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陰極射線致發(fā)光
題型:名詞解釋
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體,所以叫PMOS。
題型:判斷題
光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
題型:判斷題