判斷題TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。
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2.單項(xiàng)選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
A.對(duì)光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
3.單項(xiàng)選擇題在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
最新試題
激活劑
題型：名詞解釋
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型：判斷題
當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
AFM通常用來觀測(cè)樣品表面形貌。
題型：判斷題
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
題型：判斷題
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
題型：判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型：判斷題
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
題型：判斷題
磁滯回線
題型：名詞解釋