判斷題PMOS的基底是p型半導(dǎo)體,所以叫PMOS。
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3.單項(xiàng)選擇題MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過(guò)()極電壓來(lái)控制()極和()極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí),其()的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
5.單項(xiàng)選擇題一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的()達(dá)到了14nm量級(jí)
A.柵極長(zhǎng)度
B.漏極寬度
C.柵極寬度
D.以上都不是
最新試題
提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
題型:判斷題
光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
題型:判斷題
AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。
題型:判斷題
通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
題型:判斷題
AlAs的禁帶寬度比GaAs大,晶格常數(shù)也更大。
題型:判斷題
激活劑
題型:名詞解釋
硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型:判斷題
猝滅劑
題型:名詞解釋
光刻技術(shù)中的反刻工藝,通常應(yīng)用于()的情況。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí),其()的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題