判斷題半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。
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2.單項選擇題MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
3.單項選擇題當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
4.單項選擇題一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級
A.柵極長度
B.漏極寬度
C.柵極寬度
D.以上都不是
最新試題
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
題型：判斷題
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
題型：單項選擇題
通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
題型：判斷題
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
題型：判斷題
TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。
題型：判斷題
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
題型：單項選擇題
磁滯回線
題型：名詞解釋
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型：單項選擇題
等離子體
題型：名詞解釋
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：單項選擇題