判斷題半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
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4.單項選擇題MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過()極電壓來控制()極和()極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
5.單項選擇題當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時,其()的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
最新試題
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。
題型:判斷題
光生伏特效應(yīng)
題型:名詞解釋
敏化劑
題型:名詞解釋
磁滯回線
題型:名詞解釋
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
題型:判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體,我們知道A的晶格常數(shù)是5Å,帶隙是1.2eV,B的晶格常數(shù)是4Å,其帶隙有可能是()eV
題型:單項選擇題
AlAs的禁帶寬度比GaAs大,晶格常數(shù)也更大。
題型:判斷題
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型:判斷題
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
題型:判斷題
陰極射線致發(fā)光
題型:名詞解釋