半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導(dǎo)率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。
A.79.6
B.9.82
C.16.67
D.29.92
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A.8.86mA
B.7.02μA
C.3.51μA
D.1.76mA
在平行板電容器中，有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導(dǎo)G=（）S。
A.10-7
B.4×10-8
C.2×10-7
D.10-8
如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。
A.0.5MΩ，
B.1.0kΩ
C.1.0MΩ
D.0.5kΩ
如圖10-79所示，一個(gè)直徑為1m的球形金屬接地極，深埋于電導(dǎo)率為σ=1．91×10-2S／m的土壤中，該接地極的接地電阻為（）Ω。
A.12.8
B.8.33
C.1.67
D.16.66
如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。
A.333.3
B.666.7
C.500
D.1000
最新試題
圖10-68所示電路在開關(guān)S閉合后的時(shí)間常數(shù)r值為（）。
如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。
如圖10-79所示，一個(gè)直徑為1m的球形金屬接地極，深埋于電導(dǎo)率為σ=1．91×10-2S／m的土壤中，該接地極的接地電阻為（）Ω。
在圖10-67所示電路中，開關(guān)S在位置1的時(shí)間常數(shù)為τ1，在位置2的時(shí)間常數(shù)為τ2，τ1和τ2的關(guān)系是（）。
圖10-65所示電路，當(dāng)開關(guān)s在位置1時(shí)已達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0時(shí)刻將開關(guān)s瞬間合到位置2，則在t>0后電流iC（）。
已知圖10-77中電容器極板間的距離為d，極板面積為S，ε1介質(zhì)厚度為d／2，則該電容器的電容應(yīng)為（）。
在圖10-61所示電路中，開關(guān)S在t=0瞬間閉合，則i2（0+）=（）A。
半徑R0=0．5m的半球形接地電極，淺埋于電導(dǎo)率為γ=1．91×10-2S／m的土壤中（圖10-82），該半球電極的接地電阻為（）Ω。
如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場強(qiáng)度為（）。
在R、L串聯(lián)電路中，激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生的電流響應(yīng)（零狀態(tài)響應(yīng)）iL（t）中（）。