A.20
B.200
C.1000
D.1024
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A.4
B.5
C.6
D.8
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C.4
D.5
A.寬度增加
B.幅度減小
C.幅度增加
D.寬度減小
A.PLA結(jié)構(gòu)是與門陣列固定連接，而或門陣列可編程
B.PLA結(jié)構(gòu)是或門陣列固定連接，而與門陣列可編程
C.PLA結(jié)構(gòu)是與門陣列和或門陣列都可以編程
D.PLA中，一個(gè)地址碼對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元是唯一的
最新試題
RAM的基本結(jié)構(gòu)包含地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀寫電路三大部分。一個(gè)RAM芯片有11個(gè)地址輸入端，8個(gè)數(shù)據(jù)輸出端，則該RAM芯片的容量是（）位。
四位并行輸入寄存器輸入一個(gè)新的四位數(shù)據(jù)時(shí)需要（）個(gè)CP時(shí)鐘脈沖信號(hào)。
R-S觸發(fā)器的基本性質(zhì)是（）。
用555定時(shí)器構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)電路如圖12-3所示。已知電源電壓V=10V，R=33kΩ，C=0．1μF，則輸出電壓的脈沖寬度為（）mS。
已知TTL門的UH=3．6V，UL=0．3V，UOFF=0．8V，UON=1．8V，則該門輸入高電平的噪聲容限為（）V。
A*B*B**C=（）。
關(guān)于可編程邏輯陣列PLA，下列說法正確的是（）。
一個(gè)4位串行數(shù)據(jù)，輸入4位移位寄存器，時(shí)鐘脈沖頻率為1kHz，經(jīng)過（）ms可以轉(zhuǎn)換為4位并行數(shù)據(jù)輸出。
用觸發(fā)器組成12進(jìn)制數(shù)計(jì)數(shù)器，至少應(yīng)用觸發(fā)器的個(gè)數(shù)為（）個(gè)。
一片存儲(chǔ)容量為8K的只讀存儲(chǔ)器ROM芯片應(yīng)該有（）條地址線。