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RAM的基本結(jié)構(gòu)包含地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀寫電路三大部分。一個(gè)RAM芯片有11個(gè)地址輸入端，8個(gè)數(shù)據(jù)輸出端，則該RAM芯片的容量是（）位。
已知TTL門的UH=3．6V，UL=0．3V，UOFF=0．8V，UON=1．8V，則該門輸入高電平的噪聲容限為（）V。
三態(tài)輸出門可用于（）。
一個(gè)8位的單極性D／A轉(zhuǎn)換器，最小分辨電壓△U=0．1V，則其滿度輸出電壓為（）V。
將一個(gè)最大幅值為5V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要使模擬信號(hào)每變化10mV，數(shù)字信號(hào)的最低位發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位的A／D轉(zhuǎn)換器。
單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器中最重要的參數(shù)是（）。
A／D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換過程分為（）4個(gè)步驟。
已知Y=A+BC，則下列說法正確的是（）。
四位并行輸入寄存器輸入一個(gè)新的四位數(shù)據(jù)時(shí)需要（）個(gè)CP時(shí)鐘脈沖信號(hào)。
如圖12-2所示，數(shù)碼比較器74LS85可以比較兩個(gè)4位二進(jìn)制數(shù)A和B的大小。當(dāng)A為A3A2A1A0=1001時(shí)，下列說法正確的是（）。