單項選擇題玻璃生產(chǎn)中高嶺土的技術(shù)要求是()。
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.3%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題玻璃生產(chǎn)中長石的技術(shù)要求是:()。
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.3%
2.單項選擇題滑石的化學通式為:()。
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
3.單項選擇題CaCO3·MgCO3是下列哪種礦物的分子式()。
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
4.單項選擇題黏土中混入的硫酸鹽主要是()。
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
5.單項選擇題黏土中的氧化鎂含量應小于()。
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題