A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
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A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
PN結(jié)的基本特性是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。