單項(xiàng)選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較,()
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無(wú)法判斷
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題下列氧化物中,加入過(guò)量會(huì)使玻璃的料性變短的是()
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
2.單項(xiàng)選擇題扎哈里阿森(Zachariasen)提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中,氧多面體應(yīng)當(dāng)相互()
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
3.單項(xiàng)選擇題能夠單獨(dú)形成玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體的單鍵能一般大于()
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
4.單項(xiàng)選擇題玻璃熔制的主要設(shè)備為()。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
5.單項(xiàng)選擇題一次風(fēng)占燃燒所需要空氣量的()。
A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題