單項(xiàng)選擇題載流導(dǎo)體在磁場(chǎng)中所受到磁場(chǎng)力的方向由()確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
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1.單項(xiàng)選擇題直導(dǎo)體切割磁力線(xiàn)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的方向可由()確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
2.單項(xiàng)選擇題電流所產(chǎn)生磁場(chǎng)的方向按()確定。
A、歐姆定律
B、右手螺旋定則
C、基爾霍夫定律
D、楞次定律
3.單項(xiàng)選擇題電場(chǎng)強(qiáng)度的單位符號(hào)是()。
A、V/m
B、V
C、W
D、VA
最新試題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類(lèi)型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線(xiàn)中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型:判斷題