A、一個(gè)變數(shù)
B、一個(gè)常數(shù)
C、在某一黑度范圍是常數(shù)
D、以上都不是
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A、底片上相鄰區(qū)域的曝光量差
B、底片上相鄰區(qū)域的黑度差
C、膠片特性曲線的r值
D、曝光曲線上的tgQ值
A、靈敏度
B、曝光量
C、黑度
D、對(duì)比度
A、底片黑度
B、曝光量
C、曝光量的對(duì)數(shù)
D、底片黑度的對(duì)數(shù)
A、60Co
B、220kVpX射線
C、15MeVX射線
D、192Ir
A、相同
B、弱
C、強(qiáng)
D、以上都可能
最新試題
缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的（）
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
在遠(yuǎn)場區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）
渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的（）具有較好的代表性，因此在在役管材的渦流檢測中較多采用。
根據(jù)檢測對(duì)象和目的的不同，渦流檢測儀器一般可分為（）、渦流電導(dǎo)儀和渦流測厚儀三種。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇，則回波（）
磁性測厚技術(shù)包括機(jī)械式和（）兩種測量方法。
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
當(dāng)波束中心線與缺陷面（）且回波最（）時(shí)，移動(dòng)探頭使波束中心（），回波高度當(dāng)隨之下降。