A、相同
B、弱
C、強(qiáng)
D、以上都可能
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A、管電流
B、管電壓
C、曝光時(shí)間
D、焦距
A、管電流
B、管電壓
C、曝光時(shí)間
D、焦距
A、射線太硬
B、顯影不足
C、顯影液陳舊失效
D、以上都對(duì)
A、源的強(qiáng)度
B、源的尺寸
C、源的使用時(shí)間
D、源的種類
A、質(zhì)量數(shù)相同，中子數(shù)不同的元素
B、質(zhì)量數(shù)不同，中子數(shù)相同的元素
C、質(zhì)子數(shù)相同，中子數(shù)不同的元素
D、中子數(shù)相同，質(zhì)子數(shù)不同的元素
最新試題
在聲束垂直試件表面時(shí)，所獲得的（）反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）
各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和（）是相同的。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量（）測(cè)量功能的通用型儀器。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
無損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長范圍為（）mm，峰值波長為365mm。
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。