A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.VD>0.5V,VD<0.7V
B.VD>0.7V,VD<0.5V
C.VD>0.7V,VD<0.7V
D.VD>0.5V,VD<0.5V
A.互非
B.對(duì)偶
C.相等
D.無任何關(guān)系
A.連續(xù)變化的
B.模擬
C.離散的
D.數(shù)字
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾百微秒
D.幾十毫秒
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾十毫秒
D.幾百毫秒
最新試題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?