A.懸空
B.通過電阻2.7kΩ接電源
C.通過電阻2.7kΩ接地
D.通過電阻510Ω接地
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A.正或門
B.正非門
C.正與門
D.負(fù)或門
A.TSL門
B.OC門
C.漏極開路門
D.CMOS與非門
A.與非門
B.三態(tài)輸出門
C.集電極開路門
D.漏極開路門
A.用電壓表測量指針不動(dòng)
B.相當(dāng)于懸空
C.電壓不高不低
D.測量電阻指針不動(dòng)
A.并聯(lián)比較型
B.逐次逼近型
C.雙積分型
D.施密特觸發(fā)器
最新試題
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡述理由。
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體?簡述它們的作用。
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。