多項(xiàng)選擇題下列PLD電路的或陣列可編程的器件是（）。

A.PROM
B.FPLA
C.PAL
D.GAL


你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題下列PLD電路的與陣列可編程的器件是（）。

A.PROM
B.FPLA
C.PAL
D.GAL

2.多項(xiàng)選擇題下列常用的集成ADC屬于雙積分型的有（）

A.ICL7107
B.AD574A
C.ICL7106
D.ADC0809

3.多項(xiàng)選擇題下列對(duì)雙積分型ADC特點(diǎn)的描述，正確的是（）。

A.抗交流干擾能力強(qiáng)
B.工作性能穩(wěn)定
C.工作速度高
D.工作速度低

4.多項(xiàng)選擇題三位并行比較型ADC是一種快速ADC，它由（）三部分組成。

A.電子開(kāi)關(guān)
B.電壓比較其
C.緩沖寄存器
D.編碼器

最新試題

根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在？

題型：?jiǎn)柎痤}

用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個(gè)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號(hào)JK就為（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？

題型：?jiǎn)柎痤}

27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

TTL與非門(mén)輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。

題型：?jiǎn)柎痤}