A.通道中載子的濃度
B.通道中之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度
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如圖所示,Q1,Q2為相同二極管,I=?()
A.10mA
B.20mA
C.5mA
D.1mA
右圖所示之N信道JFET電路,已知JFET之IDSS=4mA,VP=-4V,使此JFET工作于飽和區(qū)(SaturationRegion),且其汲極電流ID=1mA,則RS應(yīng)為:()
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
E.5kΩ
A.共集極放大電路
B.共源極放大電路
C.共汲極放大電路
D.共閘極放大電路
A.電感器
B.電容器
C.電阻器
D.PN二極管
A.雜音較多
B.輸入阻抗較高
C.高頻響應(yīng)較好
D.增益帶寬乘積通常比晶體管為佳
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