單項選擇題
右圖所示之N信道JFET電路,已知JFET之IDSS=4mA,VP=-4V,使此JFET工作于飽和區(qū)(SaturationRegion),且其汲極電流ID=1mA,則RS應為:()
A.1kΩ
B.2kΩ
C.3kΩ
D.4kΩ
E.5kΩ
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1.單項選擇題下列的放大電路中,那一個不是屬于場效應晶體管的放大電路組態(tài)?()
A.共集極放大電路
B.共源極放大電路
C.共汲極放大電路
D.共閘極放大電路
2.單項選擇題以TTL推動CMOS邏輯閘時,最簡單的界面連接技術是加一個無源提升(pull-up)()
A.電感器
B.電容器
C.電阻器
D.PN二極管
3.單項選擇題有關FET的敘述,與晶體管相較,下列何者正確?()
A.雜音較多
B.輸入阻抗較高
C.高頻響應較好
D.增益帶寬乘積通常比晶體管為佳
4.單項選擇題
右圖之電路,若|IDSS|=4mA,VP=4V,則VGS為()
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
5.單項選擇題
如圖之電路,其參數(shù)值gm=2mA/V,rd=40k,若RD=20k,則電壓增益Av為()
A.-57
B.-38
C.-26.6
D.-20.5
最新試題
或門電路(OR Gate)的邏輯功能可以描述為()
題型:單項選擇題
負反饋在放大電路中的主要作用不包括以下哪一項?()
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下列哪個描述是RS觸發(fā)器的一個應用場景?()
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