單項(xiàng)選擇題

右圖之電路,若|IDSS|=4mA,VP=4V,則VGS為()

A.1V
B.2V
C.3V
D.4V


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2.單項(xiàng)選擇題FET共泄極放大器的電壓增益()

A.甚高
B.約等于μ
C.等于1
D.略小于1

3.單項(xiàng)選擇題TO-3包裝之功率晶體管,其外殼為()

A.集極
B.射極
C.基底(substrate)
D.基極

5.單項(xiàng)選擇題輸入電阻最高的放大器是()

A.MOSFET源極隨耦器
B.射極耦合器
C.達(dá)靈頓射極耦合器
D.晶體管靴帶式放大器