單項(xiàng)選擇題下列描述中不屬于本征半導(dǎo)體的基本特征是（）。

A．溫度提高導(dǎo)電能力提高
B．有兩種載流子
C．電阻率很小，接近金屬導(dǎo)體
D．參雜質(zhì)后導(dǎo)電能力提高


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1.單項(xiàng)選擇題若在本征半導(dǎo)體中摻入某些適當(dāng)微量元素后，若以空穴導(dǎo)電為主的稱（），若以自由電子導(dǎo)電為主的稱（）。

A．PNP型半導(dǎo)體／NPN型半導(dǎo)體
B．N型半導(dǎo)體／P型半導(dǎo)體
C．PN結(jié)／PN結(jié)
D．P型半導(dǎo)體／N型半導(dǎo)體

2.單項(xiàng)選擇題一般來說，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力（），當(dāng)摻入某些適當(dāng)微量元素后其導(dǎo)電能力（）。

A．很強(qiáng)／更強(qiáng)
B．很強(qiáng)／降低
C．很弱／提高
D．很弱／更弱

3.單項(xiàng)選擇題在P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（），在N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（）。

A．空穴／自由電子
B．自由電子／空穴
C．空穴／共價(jià)鍵電子
D．負(fù)離子／正離子

4.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）。

A．自由電子
B．空穴
C．束縛電子
D．晶格上的離子

5.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）。

A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子

最新試題

在三極管共發(fā)射極放大電路中，如果基極偏置電流IB太大，將會產(chǎn)生非線性（），如果基極偏置電流IB太小，將會產(chǎn)生非線性（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

在三極管基本放大電路中，由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)飽和失真。為了改善失真波形，方便的做法是應(yīng)（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

關(guān)于集成運(yùn)放的下列說法，正確的是（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

晶閘管關(guān)斷條件是（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

未引入負(fù)反饋的開環(huán)工作的運(yùn)放一般工作于（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

理想的運(yùn)算放大器應(yīng)具有的特性是（）。（Au開環(huán)電壓放大倍數(shù)，ri輸入電阻，r0輸出電阻）

題型：單項(xiàng)選擇題

設(shè)v+、v－分別是理想運(yùn)放的同相輸入端、反相輸入端的電位；設(shè)i+、i－分別是該兩端的輸入電流。若運(yùn)放工作于線性區(qū)，則（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

當(dāng)邏輯變量A=1、B=0、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)的值為（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)的值為（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

在三極管基本放大電路中，由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)截止失真。為了改善失真波形，方便的做法是應(yīng)（）。

題型：單項(xiàng)選擇題