單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的工作基礎(chǔ),其主要特性是()。
A.具有放大特性
B.具有單向?qū)щ娦?br />
C.具有改變電壓特性
D.具有增強(qiáng)內(nèi)電場特性
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1.單項(xiàng)選擇題下列描述中不屬于本征半導(dǎo)體的基本特征是()。
A.溫度提高導(dǎo)電能力提高
B.有兩種載流子
C.電阻率很小,接近金屬導(dǎo)體
D.參雜質(zhì)后導(dǎo)電能力提高
2.單項(xiàng)選擇題若在本征半導(dǎo)體中摻入某些適當(dāng)微量元素后,若以空穴導(dǎo)電為主的稱(),若以自由電子導(dǎo)電為主的稱()。
A.PNP型半導(dǎo)體/NPN型半導(dǎo)體
B.N型半導(dǎo)體/P型半導(dǎo)體
C.PN結(jié)/PN結(jié)
D.P型半導(dǎo)體/N型半導(dǎo)體
3.單項(xiàng)選擇題一般來說,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力(),當(dāng)摻入某些適當(dāng)微量元素后其導(dǎo)電能力()。
A.很強(qiáng)/更強(qiáng)
B.很強(qiáng)/降低
C.很弱/提高
D.很弱/更弱
4.單項(xiàng)選擇題在P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是(),在N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是()。
A.空穴/自由電子
B.自由電子/空穴
C.空穴/共價(jià)鍵電子
D.負(fù)離子/正離子
5.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是()。
A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
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晶閘管的結(jié)構(gòu)是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
理想的運(yùn)算放大器應(yīng)具有的特性是()。(Au開環(huán)電壓放大倍數(shù),ri輸入電阻,r0輸出電阻)
題型:單項(xiàng)選擇題
可控硅關(guān)斷的條件是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
關(guān)于晶閘管的下列說法正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
晶體管具有電流放大能力,而放大能源來自地放大電路中的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
集成運(yùn)放的兩個(gè)信號(hào)輸入端分別為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時(shí),求邏輯函數(shù)Y=A+B+C的值為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
晶閘管關(guān)斷條件是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
對(duì)運(yùn)算放大器來說,錯(cuò)誤的說法是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
關(guān)于集成運(yùn)放的下列說法,正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題