名詞解釋半導(dǎo)體
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1.單項選擇題對稱三相交流電路無功功率的表達(dá)式sin3UIQ中的電壓和電流是()。
A、線電壓和線電流
B、線電壓和相電流
C、相電壓和線電流
D、相電壓和相電流
2.單項選擇題一般情況下,電力系統(tǒng)的自然功率因數(shù)()。
A、滯后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
3.單項選擇題功率三角形中,功率因數(shù)角所對的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時功率
C、有功功率
D、無功功率
4.單項選擇題電阻與電感串聯(lián)的交流電路中,當(dāng)電阻與感抗相等時,則電壓與電流的相位關(guān)系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
5.單項選擇題在純電感交流電路中,電壓保持不變,提高電源頻率,電路中的電流將會()。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
最新試題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題