單項(xiàng)選擇題對(duì)稱三相交流電路無功功率的表達(dá)式sin3UIQ中的電壓和電流是()。
A、線電壓和線電流
B、線電壓和相電流
C、相電壓和線電流
D、相電壓和相電流
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1.單項(xiàng)選擇題一般情況下,電力系統(tǒng)的自然功率因數(shù)()。
A、滯后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
2.單項(xiàng)選擇題功率三角形中,功率因數(shù)角所對(duì)的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時(shí)功率
C、有功功率
D、無功功率
3.單項(xiàng)選擇題電阻與電感串聯(lián)的交流電路中,當(dāng)電阻與感抗相等時(shí),則電壓與電流的相位關(guān)系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
4.單項(xiàng)選擇題在純電感交流電路中,電壓保持不變,提高電源頻率,電路中的電流將會(huì)()。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
5.單項(xiàng)選擇題正弦交流電路中,一般電壓表的指示值是()。
A、最大值
B、瞬時(shí)值
C、平均值
D、有效值
最新試題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題