判斷題MOS管閾值電壓的單位是eV。
您可能感興趣的試卷
最新試題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。
題型：填空題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題