最新試題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題