名詞解釋電流集邊
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.名詞解釋共發(fā)射極電流增益
2.名詞解釋共基極電流增益
3.名詞解釋集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間
4.名詞解釋集電結(jié)電容充電時(shí)間
5.名詞解釋基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)
最新試題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
MOS的輸出特性曲線(xiàn)中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題