名詞解釋柵電容充電時間
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MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結是()結,處于反偏的PN結是()結。
題型:填空題