最新試題
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
題型:判斷題
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過()極電壓來控制()極和()極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型:單項(xiàng)選擇題
通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
題型:判斷題
光刻技術(shù)中的反刻工藝,通常應(yīng)用于()的情況。
題型:單項(xiàng)選擇題
非本征光電導(dǎo)
題型:名詞解釋
本征吸收
題型:名詞解釋
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型:判斷題
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型:判斷題
光生伏特效應(yīng)
題型:名詞解釋
磁滯回線
題型:名詞解釋