電路如題圖所示.
① 簡(jiǎn)述電路的工作原理；
② 畫出u01、u02的波形圖（要求標(biāo)出各轉(zhuǎn)折點(diǎn)的電壓、時(shí)間值）。（忽略二極管的導(dǎo)通電阻）
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最新試題
在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí)，設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns，若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號(hào)無(wú)效，計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下，仿真需運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間？（）
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義，VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是（）。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來(lái)產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz，若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào)，請(qǐng)問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位？（）
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有（）。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。