判斷題退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）
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硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）
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低溫淀積二氧化硅生長(zhǎng)溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）
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絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。（）
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點(diǎn)缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）
題型：判斷題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）
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位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯(cuò)位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯(cuò)。（）
題型：判斷題
遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）
題型：判斷題
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。（）
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門(mén)陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門(mén)陣列（）
題型：判斷題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）
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