判斷題值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）
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光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
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離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
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設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）
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厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）
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干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）
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可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）
題型：判斷題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。
題型：?jiǎn)柎痤}
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來越普遍。（）
題型：判斷題