判斷題離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
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離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
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設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）
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位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。（）
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厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結(jié)越有利。（）
題型：判斷題
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。（）
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