判斷題拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）
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遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）
題型：判斷題
硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）
題型：判斷題
場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）
題型：判斷題
點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）
題型：判斷題
退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強度下降。（）
題型：判斷題
在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）
題型：判斷題
設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）
題型：判斷題
設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。（）
題型：判斷題
低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）
題型：判斷題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）
題型：判斷題