單項(xiàng)選擇題在光電轉(zhuǎn)換過程中，Si比GaAs量子效率低，因?yàn)槠洌ǎ?/strong>

A.禁帶較窄
B.禁帶較寬
C.禁帶是間接躍遷型
D.禁帶是直接躍遷型


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1.單項(xiàng)選擇題在太空的空間實(shí)驗(yàn)室里生長的GaAS具有很高的載流子遷移率，是因?yàn)檫@樣的材料（）。

A.無雜質(zhì)污染
B.受宇宙射線輻射
C.化學(xué)配比合理
D.晶體完整性好

2.單項(xiàng)選擇題若一種材料的電阻率隨溫度升高先下降后升高，則該材料是（）。

A.本征半導(dǎo)體
B.金屬
C.化合物半導(dǎo)體
D.摻雜半導(dǎo)體

3.單項(xiàng)選擇題重空穴指的是（）。

A.質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴
B.價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴
C.價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴
D.自旋—軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴

4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體的載流子擴(kuò)散系數(shù)大小決定于其（）。

A.復(fù)合機(jī)構(gòu)
B.能帶結(jié)構(gòu)
C.晶體結(jié)構(gòu)
D.散射機(jī)構(gòu)

5.單項(xiàng)選擇題Si中摻金的工藝主要用于制造（）器件。

A.高可靠性
B.高頻
C.大功率
D.高電壓